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元件参数资料
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参数目录40382
> BSO615C G MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
型号:
BSO615C G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
BSO615C G PDF
标准包装
2,500
系列
SIPMOS®
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.1A,2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
110 毫欧 @ 3.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
22.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
380pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
PG-DSO-8
包装
带卷 (TR)
其它名称
BSO615C
BSO615C G-ND
BSO615CGT
BSO615CGXT
BSO615CINTR
SP000216311
查看BSO615C G代理商
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